中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2011年
2期
27-30,55
,共5页
徐冠南%贾晨%陈虹%张春
徐冠南%賈晨%陳虹%張春
서관남%가신%진홍%장춘
带隙基准%低功耗%亚阈值%SoC
帶隙基準%低功耗%亞閾值%SoC
대극기준%저공모%아역치%SoC
随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展,低功耗技术变得越来越重要.本文采用了0.18um的标准CMOS工艺来,设计了一种无电阻、工作在亚阈值区的低功耗、小面积的CMOS电压基准源.这个带隙基准可以灵活运用于极低功耗的SoC系统中.这个电路的电源电流大约为1 50nA,可以在1.5V～3.3V之间的电源电压下工作,基准源的输出电压的线性度为44.4ppm/V.当电源电压为1.5V,室温下带隙基准电路的输出电压为1.11 26V,1 00HE频率下的电源抑制比为-66dB,当温度在-20℃与80℃之间变化时,输出电压的温度系数是5 5ppm/℃.整个带隙基准的芯片面积是0.011 mm2.
隨著SoC在便攜產品中應用的迅猛髮展,低功耗技術變得越來越重要.本文採用瞭0.18um的標準CMOS工藝來,設計瞭一種無電阻、工作在亞閾值區的低功耗、小麵積的CMOS電壓基準源.這箇帶隙基準可以靈活運用于極低功耗的SoC繫統中.這箇電路的電源電流大約為1 50nA,可以在1.5V～3.3V之間的電源電壓下工作,基準源的輸齣電壓的線性度為44.4ppm/V.噹電源電壓為1.5V,室溫下帶隙基準電路的輸齣電壓為1.11 26V,1 00HE頻率下的電源抑製比為-66dB,噹溫度在-20℃與80℃之間變化時,輸齣電壓的溫度繫數是5 5ppm/℃.整箇帶隙基準的芯片麵積是0.011 mm2.
수착SoC재편휴산품중응용적신맹발전,저공모기술변득월래월중요.본문채용료0.18um적표준CMOS공예래,설계료일충무전조、공작재아역치구적저공모、소면적적CMOS전압기준원.저개대극기준가이령활운용우겁저공모적SoC계통중.저개전로적전원전류대약위1 50nA,가이재1.5V～3.3V지간적전원전압하공작,기준원적수출전압적선성도위44.4ppm/V.당전원전압위1.5V,실온하대극기준전로적수출전압위1.11 26V,1 00HE빈솔하적전원억제비위-66dB,당온도재-20℃여80℃지간변화시,수출전압적온도계수시5 5ppm/℃.정개대극기준적심편면적시0.011 mm2.
