半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
4期
516-519
,共4页
白雪平%李华高%熊平%李立%陈红兵
白雪平%李華高%熊平%李立%陳紅兵
백설평%리화고%웅평%리립%진홍병
红外肖特基势垒探测器%表面处理%PtSi%截止波长
紅外肖特基勢壘探測器%錶麵處理%PtSi%截止波長
홍외초특기세루탐측기%표면처리%PtSi%절지파장
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD).用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23eV.
利用超高真空技術對硅襯底進行錶麵處理,製作瞭PtSi紅外肖特基勢壘探測器(IR-SBD).用X射線衍射(XRD)分析瞭錶麵處理後的硅襯底上生長的PtSi薄膜的組分,結果錶明,處理後所生長的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明顯減少,探測器光電流響應提高瞭50%以上,截止波長延長到5.5μm,勢壘高度降低到0.23eV.
이용초고진공기술대규츤저진행표면처리,제작료PtSi홍외초특기세루탐측기(IR-SBD).용X사선연사(XRD)분석료표면처리후적규츤저상생장적PtSi박막적조분,결과표명,처리후소생장적PtSi박막중Pt2Si적함량명현감소,탐측기광전류향응제고료50%이상,절지파장연장도5.5μm,세루고도강저도0.23eV.
