电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
5期
25-27
,共3页
TiO2系压敏陶瓷%伏安特性%热电子发射%肖特基势垒
TiO2繫壓敏陶瓷%伏安特性%熱電子髮射%肖特基勢壘
TiO2계압민도자%복안특성%열전자발사%초특기세루
采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较.结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106 V/m量级)的情况下,TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷,而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似,属于肖特基热电子发射机制.
採用耗儘層近似理論,分析瞭低壓TiO2繫壓敏陶瓷在直流偏壓下的伏安特性,併對ZnO、TiO2和SrTiO3繫三種壓敏陶瓷的伏安特性進行瞭測試、分析和比較.結果錶明,在晶界勢壘不太高(一般為零點幾電子伏)及晶界電場彊度不太大(約106 V/m量級)的情況下,TiO2繫壓敏陶瓷晶界的電子傳輸機製不同于ZnO繫壓敏陶瓷,而與SrTiO3繫壓敏陶瓷的導電機製相似,屬于肖特基熱電子髮射機製.
채용모진층근사이론,분석료저압TiO2계압민도자재직류편압하적복안특성,병대ZnO、TiO2화SrTiO3계삼충압민도자적복안특성진행료측시、분석화비교.결과표명,재정계세루불태고(일반위영점궤전자복)급정계전장강도불태대(약106 V/m량급)적정황하,TiO2계압민도자정계적전자전수궤제불동우ZnO계압민도자,이여SrTiO3계압민도자적도전궤제상사,속우초특기열전자발사궤제.
