液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2010年
4期
515-518
,共4页
胡超权%王笑夷%陈红%朱嘉琦%韩杰才%郑伟涛
鬍超權%王笑夷%陳紅%硃嘉琦%韓傑纔%鄭偉濤
호초권%왕소이%진홍%주가기%한걸재%정위도
生长温度%碳化锗%性能
生長溫度%碳化鍺%性能
생장온도%탄화타%성능
利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系.研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备.此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge-H和C-H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜在～5.3μm和～3.4μm处的光吸收,而且显著提高了薄膜的硬度.这些结果表明,提高生长温度是调制Ge1-xCx薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径.
利用磁控濺射製備碳化鍺(Ge1-xCx)薄膜,繫統地研究瞭生長溫度(Tg)對所穫薄膜成分及性能的影響併揭示瞭它們之間的內在關繫.研究髮現所有Ge1-xCx薄膜樣品均為非晶結構,隨著Tg從60℃增加到500℃,膜中鍺含量增加,而碳含量相對降低,這種成分的改變增加瞭膜中組成原子的平均質量,進而導緻薄膜摺射率從2.3增加到4.3,這種摺射率大範圍連續可調的特性十分有利于Ge1-xCx多層紅外增透保護膜的設計和製備.此外研究還髮現,隨著Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge-H和C-H鍵逐漸減少,這不但顯著減小瞭薄膜在～5.3μm和～3.4μm處的光吸收,而且顯著提高瞭薄膜的硬度.這些結果錶明,提高生長溫度是調製Ge1-xCx薄膜成分、改善其光學和力學性能的有效途徑.
이용자공천사제비탄화타(Ge1-xCx)박막,계통지연구료생장온도(Tg)대소획박막성분급성능적영향병게시료타문지간적내재관계.연구발현소유Ge1-xCx박막양품균위비정결구,수착Tg종60℃증가도500℃,막중타함량증가,이탄함량상대강저,저충성분적개변증가료막중조성원자적평균질량,진이도치박막절사솔종2.3증가도4.3,저충절사솔대범위련속가조적특성십분유리우Ge1-xCx다층홍외증투보호막적설계화제비.차외연구환발현,수착Tg적증가,Ge1-xCx막중Ge-H화C-H건축점감소,저불단현저감소료박막재～5.3μm화～3.4μm처적광흡수,이차현저제고료박막적경도.저사결과표명,제고생장온도시조제Ge1-xCx박막성분、개선기광학화역학성능적유효도경.
