半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
12期
929-932,939
,共5页
李岚%王勇%默江辉%李亮%彭志农%李佳%蔡树军
李嵐%王勇%默江輝%李亮%彭誌農%李佳%蔡樹軍
리람%왕용%묵강휘%리량%팽지농%리가%채수군
S波段%功率%SiC MESFET%Al记忆效应%体标记
S波段%功率%SiC MESFET%Al記憶效應%體標記
S파단%공솔%SiC MESFET%Al기억효응%체표기
介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术.针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对A1记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术.研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响.采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高.测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40％.测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100 μs,占空比10％.
介紹瞭一種S波段功率SiC MESFET芯片的研製技術.針對SiC材料的特點,對4H-SiC外延材料進行瞭設計和倣真,同時對A1記憶效應進行瞭研究,優化瞭4H-SiC外延生長技術.研究瞭柵長與溝道厚度縱橫比(Lg/a)對短溝道效應和漏極勢壘降低效應的影響.採用瞭凹槽柵結構和體標記電子束直寫技術以及熱氧化SiO2和SiNx複閤鈍化層設計等新製備工藝,實現瞭柵、漏洩漏電流的減小和源、漏擊穿電壓的提高.測試結果錶明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz頻率下脈遲輸齣功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏極效率40％.測試條件為漏極工作電壓48 V,脈寬100 μs,佔空比10％.
개소료일충S파단공솔SiC MESFET심편적연제기술.침대SiC재료적특점,대4H-SiC외연재료진행료설계화방진,동시대A1기억효응진행료연구,우화료4H-SiC외연생장기술.연구료책장여구도후도종횡비(Lg/a)대단구도효응화루겁세루강저효응적영향.채용료요조책결구화체표기전자속직사기술이급열양화SiO2화SiNx복합둔화층설계등신제비공예,실현료책、루설루전류적감소화원、루격천전압적제고.측시결과표명,공솔SiC MESFET심편재3.4 GHz빈솔하맥충수출공솔대우45 W,공솔증익8.5 dB,루겁효솔40％.측시조건위루겁공작전압48 V,맥관100 μs,점공비10％.
