微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
5期
300-304,310
,共6页
赵莉娟%陆爱江%庞起%葛惟昆%王建农
趙莉娟%陸愛江%龐起%葛惟昆%王建農
조리연%륙애강%방기%갈유곤%왕건농
四脚状纳米晶粒%变功率光荧光(PL)%变温光荧光(PL)%表面缺陷%局域化%高产率
四腳狀納米晶粒%變功率光熒光(PL)%變溫光熒光(PL)%錶麵缺陷%跼域化%高產率
사각상납미정립%변공솔광형광(PL)%변온광형광(PL)%표면결함%국역화%고산솔
采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒.高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成.研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发现低温时四脚晶粒的光荧光主要来自于被表面缺陷所局域的激子的辐射复合,而随着温度升高,束缚激子被热激发,室温时光荧光主要来自于自由激子的贡献.CdSe纳米量子点的退局域化温度比四脚纳米晶粒的高,而12 K时CdSe纳米量子点的局域化能量比四脚纳米晶粒的也大得多,并对这一现象作了解释.
採用高溫微乳液的化學方法,在溶液中閤成瞭高產率的CdSe四腳狀納米晶粒.高分辨透射電鏡(HRTEM)分析結果錶明,CdSe四腳狀納米晶粒是由1箇立方的覈心和4箇六方的臂所組成.研究瞭該四腳晶粒的變激髮功率光熒光(PL)譜和變溫的PL譜,分析髮現低溫時四腳晶粒的光熒光主要來自于被錶麵缺陷所跼域的激子的輻射複閤,而隨著溫度升高,束縳激子被熱激髮,室溫時光熒光主要來自于自由激子的貢獻.CdSe納米量子點的退跼域化溫度比四腳納米晶粒的高,而12 K時CdSe納米量子點的跼域化能量比四腳納米晶粒的也大得多,併對這一現象作瞭解釋.
채용고온미유액적화학방법,재용액중합성료고산솔적CdSe사각상납미정립.고분변투사전경(HRTEM)분석결과표명,CdSe사각상납미정립시유1개립방적핵심화4개륙방적비소조성.연구료해사각정립적변격발공솔광형광(PL)보화변온적PL보,분석발현저온시사각정립적광형광주요래자우피표면결함소국역적격자적복사복합,이수착온도승고,속박격자피열격발,실온시광형광주요래자우자유격자적공헌.CdSe납미양자점적퇴국역화온도비사각납미정립적고,이12 K시CdSe납미양자점적국역화능량비사각납미정립적야대득다,병대저일현상작료해석.
