提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究
제고(100)정향린화인단정적성정솔화질량적연구
Improvement of the Quality and Yield of InP Single Crystal with (100) Orientation
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2003年 5期 460-463 ,共4页

    赵有文%段满龙%孙文荣%杨子祥%焦景华%赵建群%曹慧梅%吕旭如

    조유문%단만룡%손문영%양자상%초경화%조건군%조혜매%려욱여

    磷化铟(InP)%液封直拉法(LEC)%孪晶%均匀性%固液界面 燐化銦(InP)%液封直拉法(LEC)%孿晶%均勻性%固液界麵
    린화인(InP)%액봉직랍법(LEC)%련정%균균성%고액계면
    通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶.测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料.
    통과대고압액봉직랍법단정생장과정적열전수화영향용체온도기복적궤개관건인소적분석,연구괄합생장(100)정향린화인단정적열장계통,유효지강저료련정산생적궤솔,중복지생장출료정정참류화참철적、직경위50mm화76mm적(100)린화인단정.측시결과표명아문생장(100)린화인단정적열장재생장과정중사정정보지교위평탄적고액계면,가은정지획득구유저적결함밀도화량호적전학균균성적고질량린화인단정재료.
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