一种带封装及ESD保护电路的低噪声放大器设计
일충대봉장급ESD보호전로적저조성방대기설계
A Packaged and ESD Protected Low Noise Amplifier Design
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2006年 3期 691-696 ,共6页

    许永生%陶永刚%洪亮%游淑珍%李小进%石春琦%赖宗声

    허영생%도영강%홍량%유숙진%리소진%석춘기%뢰종성

    封装效应%ESD保护%射频集成电路%低噪声放大器 封裝效應%ESD保護%射頻集成電路%低譟聲放大器
    봉장효응%ESD보호%사빈집성전로%저조성방대기
    研究了封装以及ESD保护电路对低噪声放大器的性能影响.通过详尽推导电感负反馈共发射极低噪声放大器的输入阻抗、跨导、电压增益以及噪声系数的表达式,讨论并设计了一个应用于超高频接收芯片的低噪声放大器.芯片采用低成本的0.8μm BiCMOS工艺实现,封装形式为SOIC28.经过测量,所得到的参数与讨论及仿真值很好吻合,验证了设计以及优化方法的正确性.
    연구료봉장이급ESD보호전로대저조성방대기적성능영향.통과상진추도전감부반궤공발사겁저조성방대기적수입조항、과도、전압증익이급조성계수적표체식,토론병설계료일개응용우초고빈접수심편적저조성방대기.심편채용저성본적0.8μm BiCMOS공예실현,봉장형식위SOIC28.경과측량,소득도적삼수여토론급방진치흔호문합,험증료설계이급우화방법적정학성.
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