半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
196-199
,共4页
刘磁辉%姚然%苏剑锋%马泽宇%付竹西
劉磁輝%姚然%囌劍鋒%馬澤宇%付竹西
류자휘%요연%소검봉%마택우%부죽서
MOCVD%ZnO/p-Si%异质结%缺陷
MOCVD%ZnO/p-Si%異質結%缺陷
MOCVD%ZnO/p-Si%이질결%결함
报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700 ℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.
報道瞭用MOCVD方法製備的硅基ZnO薄膜中的中性施主-價帶D0h髮光.ZnO/p-Si結構經空氣中700 ℃退火1h,然後進行X射線衍射(XRD)、光緻髮光(PL)譜和I-V特性測量.實驗得到不同載氣流量製備的樣品都具有整流特性.深能級瞬態譜(DLTS)測量探測到各樣品中存在兩箇施主深能級E1和E2.相應的室溫PL譜測量顯示樣品近帶邊髮射包含不同的髮光線.利用高斯擬閤方法,樣品S2a的PL譜分解為三條髮光線b,c和d,其中髮光線b可歸結為ZnO中的激子髮射;DLTS測量得到的施主能級E1與髮光線c和d的跼域態電離能Ed相關,為D0h中心.此外,實驗揭示E2能級的相對隙態密度與PL譜的髮光彊度成反比,錶明深能級E2具有複閤中心性質.
보도료용MOCVD방법제비적규기ZnO박막중적중성시주-개대D0h발광.ZnO/p-Si결구경공기중700 ℃퇴화1h,연후진행X사선연사(XRD)、광치발광(PL)보화I-V특성측량.실험득도불동재기류량제비적양품도구유정류특성.심능급순태보(DLTS)측량탐측도각양품중존재량개시주심능급E1화E2.상응적실온PL보측량현시양품근대변발사포함불동적발광선.이용고사의합방법,양품S2a적PL보분해위삼조발광선b,c화d,기중발광선b가귀결위ZnO중적격자발사;DLTS측량득도적시주능급E1여발광선c화d적국역태전리능Ed상관,위D0h중심.차외,실험게시E2능급적상대극태밀도여PL보적발광강도성반비,표명심능급E2구유복합중심성질.
