一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路
일개8 GHz기우AlGaN/GaN HEMT적내필배전로
8 GHz High Efficiency Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2009年 1期 24-27 ,共4页

    张辉%陈晓娟%刘果果%曾轩%袁婷婷%陈中子%王亮%刘新宇

    장휘%진효연%류과과%증헌%원정정%진중자%왕량%류신우

    AlGaN/GaN HEMT%内匹配%混合集成电路%功率放大器 AlGaN/GaN HEMT%內匹配%混閤集成電路%功率放大器
    AlGaN/GaN HEMT%내필배%혼합집성전로%공솔방대기
    论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试.该电路包含了1个10×100 μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路.在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB.
    논술료일개재8 GHz하기우AlGaN/GaN HEMT공솔방대기HMIC적설계、제비여측시.해전로포함료1개10×100 μm적AlGaN/GaN HEMT화수입수출필배전로.재편치조건위VDS=40 V、IDS=0.16 A시수출련속파포화공솔재8 GHz체도36.5 dBm(4.5 W),PAE위60%,선성증익10 dB;재편치조건위VDS=30 V、IDS=0.19 A시수출련속파포화공솔재8 GHz체도35.6 dBm(3.6 W),PAE위47%,선성증익9 dB.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문