现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
14期
186-189
,共4页
电迁移%LF噪声%逾渗模拟%敏感性
電遷移%LF譟聲%逾滲模擬%敏感性
전천이%LF조성%유삼모의%민감성
在电迁移物理机制的基础上结合逾渗理论,建立了一种金属互连线电迁移的逾渗模型.基于该模型,采用蒙特卡罗方法模拟了超大规模集成电路(VLSI)金属互连线电迁移过程中电阻和低频噪声参数的变化规律.结果表明,与传统的电阻测量方法相比,低频噪声表征方法对电迁移损伤更敏感,检测的效率更高.该研究结果为低频噪声表征VLSI金属互连线电迁移损伤的检测方法提供了理论依据.
在電遷移物理機製的基礎上結閤逾滲理論,建立瞭一種金屬互連線電遷移的逾滲模型.基于該模型,採用矇特卡囉方法模擬瞭超大規模集成電路(VLSI)金屬互連線電遷移過程中電阻和低頻譟聲參數的變化規律.結果錶明,與傳統的電阻測量方法相比,低頻譟聲錶徵方法對電遷移損傷更敏感,檢測的效率更高.該研究結果為低頻譟聲錶徵VLSI金屬互連線電遷移損傷的檢測方法提供瞭理論依據.
재전천이물리궤제적기출상결합유삼이론,건립료일충금속호련선전천이적유삼모형.기우해모형,채용몽특잡라방법모의료초대규모집성전로(VLSI)금속호련선전천이과정중전조화저빈조성삼수적변화규률.결과표명,여전통적전조측량방법상비,저빈조성표정방법대전천이손상경민감,검측적효솔경고.해연구결과위저빈조성표정VLSI금속호련선전천이손상적검측방법제공료이론의거.
