高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2011年
1期
139-142
,共4页
王凌凌%杨文胜%王德军%谢腾峰
王凌凌%楊文勝%王德軍%謝騰峰
왕릉릉%양문성%왕덕군%사등봉
AlGaN/GaN异质结%表面电势%Kelvin探针力显微镜%光生电荷转移
AlGaN/GaN異質結%錶麵電勢%Kelvin探針力顯微鏡%光生電荷轉移
AlGaN/GaN이질결%표면전세%Kelvin탐침력현미경%광생전하전이
利用真空Kelvin探针力显微镜(KFM)研究了纳米尺度下n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷性质并进行了定量测量.结果表明,n-AlGaN/GaN薄膜的表面位错均为电活性的受主型表面态,所捕获电荷的区域远远大于表面位错的大小,其表面电势与GaN薄膜表面电势的最大差值达到590 mV.在光照下,n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷发生了明显的光生电荷重新分布现象.
利用真空Kelvin探針力顯微鏡(KFM)研究瞭納米呎度下n-AlGaN/GaN薄膜的錶麵電荷性質併進行瞭定量測量.結果錶明,n-AlGaN/GaN薄膜的錶麵位錯均為電活性的受主型錶麵態,所捕穫電荷的區域遠遠大于錶麵位錯的大小,其錶麵電勢與GaN薄膜錶麵電勢的最大差值達到590 mV.在光照下,n-AlGaN/GaN薄膜的錶麵電荷髮生瞭明顯的光生電荷重新分佈現象.
이용진공Kelvin탐침력현미경(KFM)연구료납미척도하n-AlGaN/GaN박막적표면전하성질병진행료정량측량.결과표명,n-AlGaN/GaN박막적표면위착균위전활성적수주형표면태,소포획전하적구역원원대우표면위착적대소,기표면전세여GaN박막표면전세적최대차치체도590 mV.재광조하,n-AlGaN/GaN박막적표면전하발생료명현적광생전하중신분포현상.
