微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
1期
67-71
,共5页
谭传武%汤琼%刘罗华%刘红兵%谭传志
譚傳武%湯瓊%劉囉華%劉紅兵%譚傳誌
담전무%탕경%류라화%류홍병%담전지
电源管理%电荷泵%BiCMOS
電源管理%電荷泵%BiCMOS
전원관리%전하빙%BiCMOS
基于0.6 μm BiCMOS工艺,设计了一款高精度电荷泵电源管理芯片.该芯片利用2倍压电荷泵电源转换原理,芯片内部集成了具有优异频率响应的振荡器电容,施密特触发器提供内部精准频率,PFM调制提供稳定的输出电压.测试结果表明,芯片输入电压范围为2.7～5.5V,输出电压为5V,电压纹波小于20 mV,内部振荡频率为700 kHz,低功耗模式时电流仅为6.73 μA.
基于0.6 μm BiCMOS工藝,設計瞭一款高精度電荷泵電源管理芯片.該芯片利用2倍壓電荷泵電源轉換原理,芯片內部集成瞭具有優異頻率響應的振盪器電容,施密特觸髮器提供內部精準頻率,PFM調製提供穩定的輸齣電壓.測試結果錶明,芯片輸入電壓範圍為2.7～5.5V,輸齣電壓為5V,電壓紋波小于20 mV,內部振盪頻率為700 kHz,低功耗模式時電流僅為6.73 μA.
기우0.6 μm BiCMOS공예,설계료일관고정도전하빙전원관리심편.해심편이용2배압전하빙전원전환원리,심편내부집성료구유우이빈솔향응적진탕기전용,시밀특촉발기제공내부정준빈솔,PFM조제제공은정적수출전압.측시결과표명,심편수입전압범위위2.7～5.5V,수출전압위5V,전압문파소우20 mV,내부진탕빈솔위700 kHz,저공모모식시전류부위6.73 μA.
