半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
381-385,394
,共6页
李菁%张海明%杨岩%缪玲玲%高波%李芹
李菁%張海明%楊巖%繆玲玲%高波%李芹
리정%장해명%양암%무령령%고파%리근
AAO/Si模板%氧化锌%化学气相沉积%煅烧温度%恒温时间
AAO/Si模闆%氧化鋅%化學氣相沉積%煅燒溫度%恆溫時間
AAO/Si모판%양화자%화학기상침적%단소온도%항온시간
以AAO/Si为模板,采用化学气相沉积(CVD)的方法在不同温度下,通过煅烧Zn粉和C粉的混合物制备ZnO/AAO/Si组装体系,并对其结构和性质进行了研究.扫描电镜(SEM)结果表明:随着煅烧温度的升高,AAO表面的孔洞逐渐被封堵,当温度达到900℃时,在AAO的表面出现了一层ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示,700℃时在XRD图谱上观看到六角纤锌矿的ZnO的衍射峰,并且随着温度的升高,ZnO的衍射峰逐渐增强,当温度升至800和900℃时出现了ZnAl2O4的衍射峰.因此,化学气相沉积制备组装体系时的最适温为700℃.在700℃时煅烧不同恒温时间制备的ZnO/AAO/Si组装体系SEM图显示,随着恒温时间的延长,孔的封闭效应逐渐明显.
以AAO/Si為模闆,採用化學氣相沉積(CVD)的方法在不同溫度下,通過煅燒Zn粉和C粉的混閤物製備ZnO/AAO/Si組裝體繫,併對其結構和性質進行瞭研究.掃描電鏡(SEM)結果錶明:隨著煅燒溫度的升高,AAO錶麵的孔洞逐漸被封堵,噹溫度達到900℃時,在AAO的錶麵齣現瞭一層ZnO薄膜.X射線衍射(XRD)結果顯示,700℃時在XRD圖譜上觀看到六角纖鋅礦的ZnO的衍射峰,併且隨著溫度的升高,ZnO的衍射峰逐漸增彊,噹溫度升至800和900℃時齣現瞭ZnAl2O4的衍射峰.因此,化學氣相沉積製備組裝體繫時的最適溫為700℃.在700℃時煅燒不同恆溫時間製備的ZnO/AAO/Si組裝體繫SEM圖顯示,隨著恆溫時間的延長,孔的封閉效應逐漸明顯.
이AAO/Si위모판,채용화학기상침적(CVD)적방법재불동온도하,통과단소Zn분화C분적혼합물제비ZnO/AAO/Si조장체계,병대기결구화성질진행료연구.소묘전경(SEM)결과표명:수착단소온도적승고,AAO표면적공동축점피봉도,당온도체도900℃시,재AAO적표면출현료일층ZnO박막.X사선연사(XRD)결과현시,700℃시재XRD도보상관간도륙각섬자광적ZnO적연사봉,병차수착온도적승고,ZnO적연사봉축점증강,당온도승지800화900℃시출현료ZnAl2O4적연사봉.인차,화학기상침적제비조장체계시적최괄온위700℃.재700℃시단소불동항온시간제비적ZnO/AAO/Si조장체계SEM도현시,수착항온시간적연장,공적봉폐효응축점명현.
