发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2004年
5期
505-509
,共5页
方文卿%李述体%刘和初%江风益
方文卿%李述體%劉和初%江風益
방문경%리술체%류화초%강풍익
硅扩散%氮化镓%电化学电容电压
硅擴散%氮化鎵%電化學電容電壓
규확산%담화가%전화학전용전압
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考.还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1 030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度.该结果可为GaN外延层结构设计提供参考.
採用適閤寬禁帶半導體材料的電化學電容電壓(ECV)分析儀,對摻硅GaN外延片用硫痠逐層進行瞭精密腐蝕後,在此基礎上得到瞭在進口MOCVD設備上生產的GaN基外延片的載流子濃度縱嚮分佈.探討瞭該分佈與晶體生長過程及晶體質量的關繫,測量分析結果可為生長工藝參數的優化提供參攷.還採用主擴散模型對測量結果進行高斯擬閤,得齣瞭高溫時(1 030℃)硅在GaN中的擴散繫數,併由此估算瞭硅在GaN外延片中的擴散寬度.該結果可為GaN外延層結構設計提供參攷.
채용괄합관금대반도체재료적전화학전용전압(ECV)분석의,대참규GaN외연편용류산축층진행료정밀부식후,재차기출상득도료재진구MOCVD설비상생산적GaN기외연편적재류자농도종향분포.탐토료해분포여정체생장과정급정체질량적관계,측량분석결과가위생장공예삼수적우화제공삼고.환채용주확산모형대측량결과진행고사의합,득출료고온시(1 030℃)규재GaN중적확산계수,병유차고산료규재GaN외연편중적확산관도.해결과가위GaN외연층결구설계제공삼고.
