CAJ | 학술논문

万方数据

四川大学学报(自然科学版) 사천대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY
2005年 2期 347-352 ,共6页

敦少博%卢铁城%胡强%于晓林%胡又文%曾颖秋%张松宝%唐彬%代君龙

돈소박%로철성%호강%우효림%호우문%증영추%장송보%당빈%대군룡

Ge纳米晶%GeO纳米晶%离子注入%光致发光%X射线衍射 Ge納米晶%GeO納米晶%離子註入%光緻髮光%X射線衍射
Ge납미정%GeO납미정%리자주입%광치발광%X사선연사

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.
작자통과리자주입법득도료양감우SiO2박막중적Ge납미정,병통과계통적양화성혹환원성퇴화처리,이개변양품중Ge적양화물성분조성.분석료불동양품재실온하적광치발광(PL)특성,병결합XRD분석표명:300여400nm부근적형광봉적발광궤제시GeO(nc GeO)납미정발광,이불시GeO적결함발광;570nm부근적형광봉적발광궤제위Ge납미정(nc Ge)발광,이불시Ge급Si계면적결함발광.