发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
5期
766-772
,共7页
贺英%王均安%桑文斌%支华军%雷芝红%高利聪
賀英%王均安%桑文斌%支華軍%雷芝紅%高利聰
하영%왕균안%상문빈%지화군%뢰지홍%고리총
氧化锌纳米线%自组装%高分子软模板%光致发光
氧化鋅納米線%自組裝%高分子軟模闆%光緻髮光
양화자납미선%자조장%고분자연모판%광치발광
采用自组装技术,利用均聚极性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线.采用扫描电镜(FE-SEM)和透射电镜(HRTEM)对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明,ZnO纳米线直径约50～80 nm、长度大于4 μm,具有六方纤锌矿单晶结构,且沿c轴方向择优取向生长.采用室温下光致发光(PL)谱和紫外吸收(UV)光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明,其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射,UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收,且随着纳米线粒径的减小,吸收峰出现了蓝移现象.研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系.
採用自組裝技術,利用均聚極性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)長分子鏈作為自組裝模闆在半導體硅襯底上自組裝生長齣ZnO納米線.採用掃描電鏡(FE-SEM)和透射電鏡(HRTEM)對樣品的錶麵形貌和結構分析錶徵的結果錶明,ZnO納米線直徑約50～80 nm、長度大于4 μm,具有六方纖鋅礦單晶結構,且沿c軸方嚮擇優取嚮生長.採用室溫下光緻髮光(PL)譜和紫外吸收(UV)光譜對製得的ZnO納米線的光學性能研究錶明,其PL光譜上有較彊的紫外髮射和較弱的藍光髮射,UV吸收光譜錶明樣品在紫外區有彊的寬帶吸收,且隨著納米線粒徑的減小,吸收峰齣現瞭藍移現象.研究探討瞭高分子誘導ZnO納米線自組裝定嚮生長機製、髮光機理及其與工藝條件的內在聯繫.
채용자조장기술,이용균취겁성고분자(취병희선알、취을희순등)장분자련작위자조장모판재반도체규츤저상자조장생장출ZnO납미선.채용소묘전경(FE-SEM)화투사전경(HRTEM)대양품적표면형모화결구분석표정적결과표명,ZnO납미선직경약50～80 nm、장도대우4 μm,구유륙방섬자광단정결구,차연c축방향택우취향생장.채용실온하광치발광(PL)보화자외흡수(UV)광보대제득적ZnO납미선적광학성능연구표명,기PL광보상유교강적자외발사화교약적람광발사,UV흡수광보표명양품재자외구유강적관대흡수,차수착납미선립경적감소,흡수봉출현료람이현상.연구탐토료고분자유도ZnO납미선자조장정향생장궤제、발광궤리급기여공예조건적내재련계.
