半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
124-126
,共3页
林洪峰%谢二庆%张军%颜小琴%陈支勇
林洪峰%謝二慶%張軍%顏小琴%陳支勇
림홍봉%사이경%장군%안소금%진지용
溅射%纳米SiCN%薄膜
濺射%納米SiCN%薄膜
천사%납미SiCN%박막
利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.
利用射頻濺射方法在石英玻璃上沉積瞭納米結構硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜錶麵由平均直徑約50nm的SiCN納米顆粒組成,這些納米顆粒的緊密分佈構造瞭薄膜的緻密錶麵.納米SiCN薄膜呈現齣典型的半導體導電特徵.通過調整N2流量參數可以穫得不同帶隙的SiCN薄膜材料,這種帶隙可調的納米結構SiCN薄膜在未來的半導體光電器件應用領域會有廣闊的應用前景.
이용사빈천사방법재석영파리상침적료납미결구규탄담(SiCN)박막.SiCN박막표면유평균직경약50nm적SiCN납미과립조성,저사납미과립적긴밀분포구조료박막적치밀표면.납미SiCN박막정현출전형적반도체도전특정.통과조정N2류량삼수가이획득불동대극적SiCN박막재료,저충대극가조적납미결구SiCN박막재미래적반도체광전기건응용영역회유엄활적응용전경.
