基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
기우SiGe HBT적사빈유원전감적설계
Design of Radio Frequency Active Inductor Based on SiGe HBT
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2010年 4期 424-427 ,共4页

    尤云霞%张万荣%金冬月%谢红云%沈珮%陈亮%丁春宝%孙博韬

    우운하%장만영%금동월%사홍운%침패%진량%정춘보%손박도

    有源电感%回转器%品质因数%自谐振频率 有源電感%迴轉器%品質因數%自諧振頻率
    유원전감%회전기%품질인수%자해진빈솔
    基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较.结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论.在带宽为1～15.8 GHz的范围内,其电感值可以达到1 nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4.通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268 nH-1.914 nH范围内变化.电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义.
    기우회전기원리,제출이용량개SiGe이질결정체관,통과채용불동조태구성사충사빈유원전감,기중포괄량충정전감화량충부전감,병대타문적성능진행료비교.결과표명,공사조태여공집조태구성적유원전감적성능최우이,병취차주료상세토론.재대관위1～15.8 GHz적범위내,기전감치가이체도1 nH이상,전감적품질인수최대치체도75.4.통과조절정체관적편치전압,유원전감적전감봉치재1.268 nH-1.914 nH범위내변화.전감치적가조해성대증강전로설계적가복용성급령활성구유현실의의.
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