微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
4期
225-229
,共5页
张明华%林兆军%李惠军%申艳芬%魏晓珂%刘岩
張明華%林兆軍%李惠軍%申豔芬%魏曉珂%劉巖
장명화%림조군%리혜군%신염분%위효가%류암
AlGaN/GaN%异质结场效应晶体管(HFET)%二维电子气(2DEG)%自发极化%压电极化
AlGaN/GaN%異質結場效應晶體管(HFET)%二維電子氣(2DEG)%自髮極化%壓電極化
AlGaN/GaN%이질결장효응정체관(HFET)%이유전자기(2DEG)%자발겁화%압전겁화
基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了研究及优化,诸如AlGaN势垒层中Al组分x、AlGaN势垒层厚度h、应变弛豫度r和栅偏压Vg等因素.参数相关性的制约结果,无疑会反映在对器件物理特性的制约及影响上.研究结果表明,在一定条件下增大势垒层中Al组分和势垒层厚度可以提高器件的电流传输特性.然而随着二者的不断增大将会引起应变弛豫的发生,而应变弛豫的发生会降低器件的性能.
基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可製造性設計平檯進行AlGaN/GaN器件的結構設計和倣真,併對影響二維電子氣的重要參數因素進行瞭研究及優化,諸如AlGaN勢壘層中Al組分x、AlGaN勢壘層厚度h、應變弛豫度r和柵偏壓Vg等因素.參數相關性的製約結果,無疑會反映在對器件物理特性的製約及影響上.研究結果錶明,在一定條件下增大勢壘層中Al組分和勢壘層厚度可以提高器件的電流傳輸特性.然而隨著二者的不斷增大將會引起應變弛豫的髮生,而應變弛豫的髮生會降低器件的性能.
기우Sentaurus Workbench(SWB)TCAD가제조성설계평태진행AlGaN/GaN기건적결구설계화방진,병대영향이유전자기적중요삼수인소진행료연구급우화,제여AlGaN세루층중Al조분x、AlGaN세루층후도h、응변이예도r화책편압Vg등인소.삼수상관성적제약결과,무의회반영재대기건물리특성적제약급영향상.연구결과표명,재일정조건하증대세루층중Al조분화세루층후도가이제고기건적전류전수특성.연이수착이자적불단증대장회인기응변이예적발생,이응변이예적발생회강저기건적성능.
