化学与黏合
化學與黏閤
화학여점합
CHEMISTRY AND ADHESION
2012年
2期
19-22
,共4页
聚吡咯%酰基吡唑啉酮%酚磺乙胺%修饰电极
聚吡咯%酰基吡唑啉酮%酚磺乙胺%脩飾電極
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报道了一种新型聚吡咯-酰基吡唑啉酮复合膜修饰玻碳电极(Ppy/HPMαFP/GCE)对酚磺乙胺(ETH)电化学性质及其反应机理的研究.酚磺乙胺的电化学性质检测运用循环伏安法和脉冲伏安法.实验表明,与裸GCE和Ppy/GCE相比,Ppy/HPM α FP/GCE修饰电极对酚磺乙胺有良好的催化作用.聚吡咯与酰基吡唑啉酮产生了协同增效作用.在pH=5.5的磷酸盐(PBS)缓冲溶液中,该修饰电极测试ETH的CV曲线于0.35V和0.4V出现一对灵敏的氧化还原峰,峰电位差△Ep较裸玻碳电极降低510mV,比Ppy修饰电极降低100mV,峰电流显著增加.在最佳条件下,氧化峰电流与ETH浓度于2.0×10-6~1.0×10-4mol·L-1范围内呈现良好的线性关系,检出限为6.0×10-7mol·L-1.
報道瞭一種新型聚吡咯-酰基吡唑啉酮複閤膜脩飾玻碳電極(Ppy/HPMαFP/GCE)對酚磺乙胺(ETH)電化學性質及其反應機理的研究.酚磺乙胺的電化學性質檢測運用循環伏安法和脈遲伏安法.實驗錶明,與裸GCE和Ppy/GCE相比,Ppy/HPM α FP/GCE脩飾電極對酚磺乙胺有良好的催化作用.聚吡咯與酰基吡唑啉酮產生瞭協同增效作用.在pH=5.5的燐痠鹽(PBS)緩遲溶液中,該脩飾電極測試ETH的CV麯線于0.35V和0.4V齣現一對靈敏的氧化還原峰,峰電位差△Ep較裸玻碳電極降低510mV,比Ppy脩飾電極降低100mV,峰電流顯著增加.在最佳條件下,氧化峰電流與ETH濃度于2.0×10-6~1.0×10-4mol·L-1範圍內呈現良好的線性關繫,檢齣限為6.0×10-7mol·L-1.
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