InGaAsP/InP超辐射集成光源
InGaAsP/InP초복사집성광원
InGaAsP/InP Integrated Superluminescent Light Source
  • 万方数据
    中国激光 중국격광
    CHINESE JOURNAL OF LASERS
    2000年 5期 397-400 ,共4页

    刘杨%刘琨%宋俊峰%殷景志%康博南%姜秀英%杜国同

    류양%류곤%송준봉%은경지%강박남%강수영%두국동

    超辐射发光管%半导体光放大器%单片集成 超輻射髮光管%半導體光放大器%單片集成
    초복사발광관%반도체광방대기%단편집성
    为提高半导体超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成,制得了1.3 μm超辐射集成光源,其脉冲输出功率为50 mW,光谱宽度(FWHM)为28.9 nm.通过对放大器增益特性的讨论,得出了既能稳定器件性能,又可以提高输出功率的有效工作方案.
    위제고반도체초복사기건적수출공솔,채용직접우합적방법,장초복사발광관(SLD)여반도체광방대기(SOA)단편집성,제득료1.3 μm초복사집성광원,기맥충수출공솔위50 mW,광보관도(FWHM)위28.9 nm.통과대방대기증익특성적토론,득출료기능은정기건성능,우가이제고수출공솔적유효공작방안.
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