发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2004年
6期
701-704
,共4页
朋兴平%谭永胜%方泽波%杨映虎%王印月
朋興平%譚永勝%方澤波%楊映虎%王印月
붕흥평%담영성%방택파%양영호%왕인월
氧化锌薄膜%In掺杂%光致发光谱%射频反应共溅射
氧化鋅薄膜%In摻雜%光緻髮光譜%射頻反應共濺射
양화자박막%In참잡%광치발광보%사빈반응공천사
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征.测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74 GPa),薄膜表面平整.样品为n型导电,电阻率为1.6 Ω·cm.在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433 nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400 meV.讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响.
以金屬鋅(Zn)和金屬銦(In)為靶材採用射頻反應共濺射技術在硅(100)襯底上沉積瞭In摻雜ZnO薄膜.用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡(SEM)、熱探針、四探針和熒光分光光度計分彆對樣品的結構、錶麵形貌、導電類型、電阻率和髮光特性進行瞭分析錶徵.測試結果錶明,實驗中製備齣的ZnO薄膜具有高度的c軸擇優取嚮和小壓應力(0.74 GPa),薄膜錶麵平整.樣品為n型導電,電阻率為1.6 Ω·cm.在室溫光緻髮光譜測量中,首次觀察到位于415～433 nm的彊的藍紫光雙峰髮射,髮光雙峰的半峰全寬約為400 meV.討論瞭In摻雜對薄膜髮光特性的影響.
이금속자(Zn)화금속인(In)위파재채용사빈반응공천사기술재규(100)츤저상침적료In참잡ZnO박막.용X사선연사의、소묘전자현미경(SEM)、열탐침、사탐침화형광분광광도계분별대양품적결구、표면형모、도전류형、전조솔화발광특성진행료분석표정.측시결과표명,실험중제비출적ZnO박막구유고도적c축택우취향화소압응력(0.74 GPa),박막표면평정.양품위n형도전,전조솔위1.6 Ω·cm.재실온광치발광보측량중,수차관찰도위우415～433 nm적강적람자광쌍봉발사,발광쌍봉적반봉전관약위400 meV.토론료In참잡대박막발광특성적영향.
