微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
1期
21-24
,共4页
半导体技术%快闪存储器%电荷泵%负高压%三阱工艺
半導體技術%快閃存儲器%電荷泵%負高壓%三阱工藝
반도체기술%쾌섬존저기%전하빙%부고압%삼정공예
提出一种适用于单电源,低电压供电的Flash Memory的负高压电荷泵的实现方法.在分析传统电荷泵工作原理的基础上,结合Flash工作电压和参数要求,提出三阱工艺,无阈值损失的负高压电荷泵电路结构.最后在0.22μm Flash工艺下给出测试结果.
提齣一種適用于單電源,低電壓供電的Flash Memory的負高壓電荷泵的實現方法.在分析傳統電荷泵工作原理的基礎上,結閤Flash工作電壓和參數要求,提齣三阱工藝,無閾值損失的負高壓電荷泵電路結構.最後在0.22μm Flash工藝下給齣測試結果.
제출일충괄용우단전원,저전압공전적Flash Memory적부고압전하빙적실현방법.재분석전통전하빙공작원리적기출상,결합Flash공작전압화삼수요구,제출삼정공예,무역치손실적부고압전하빙전로결구.최후재0.22μm Flash공예하급출측시결과.
