电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2008年
2期
297-300
,共4页
杜江锋%赵金霞%伍捷%杨月寒%武鹏%靳翀%陈卫
杜江鋒%趙金霞%伍捷%楊月寒%武鵬%靳翀%陳衛
두강봉%조금하%오첩%양월한%무붕%근충%진위
解析模型%击穿电压%电场分布%场板%GaN
解析模型%擊穿電壓%電場分佈%場闆%GaN
해석모형%격천전압%전장분포%장판%GaN
基于具有场板结构GaNHEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型.当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50 V提高到加场板后的225 V,增幅高出4倍.该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据.
基于具有場闆結構GaNHEMT器件物理和基本器件方程,導齣瞭器件加場闆前後錶麵電場分佈和峰值電場解析模型.噹場闆長度LFP與絕緣層厚度tox最優時,GaN HEMT柵極邊緣電場峰值可降低至未加場闆時的22%;若保持峰值電場恆定,則其漏耑電壓可由沒有場闆時的50 V提高到加場闆後的225 V,增幅高齣4倍.該解析模型所導齣的電場分佈與國外新近髮錶的源于器件方程和經驗公式的模擬和實驗結果基本吻閤,為GaN HEMT器件場闆設計提供瞭理論依據.
기우구유장판결구GaNHEMT기건물리화기본기건방정,도출료기건가장판전후표면전장분포화봉치전장해석모형.당장판장도LFP여절연층후도tox최우시,GaN HEMT책겁변연전장봉치가강저지미가장판시적22%;약보지봉치전장항정,칙기루단전압가유몰유장판시적50 V제고도가장판후적225 V,증폭고출4배.해해석모형소도출적전장분포여국외신근발표적원우기건방정화경험공식적모의화실험결과기본문합,위GaN HEMT기건장판설계제공료이론의거.
