半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
762-765
,共4页
何焜%龚谦%李世国%李健
何焜%龔謙%李世國%李健
하혼%공겸%리세국%리건
自组织%量子点%量子点激光器%多纵模%气态源分子束外延
自組織%量子點%量子點激光器%多縱模%氣態源分子束外延
자조직%양자점%양자점격광기%다종모%기태원분자속외연
报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构.AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布.制作了脊条宽为6 μm,腔长为1.5 min的未镀膜激光器器件,器件室温连续工作的最大输出功率达到51.1 mW (单面),最高工作温度70℃.激光光谱包含一系列非均匀的多纵模簇,且随着电流的增加,纵模簇个数也增加.经分析认为,光谱的这一不同于常规半导体激光器的性质是由量子点的非均匀性以及量子点之间互不关联性导致的,是多个互相无关联的不同特性激光的集体行为.
報道瞭InAs/GaAs量子點激光器GSMBE生長,激光器器件有源區包含瞭層疊的5層InAs量子點微結構.AFM顯微圖像顯示相同生長條件下的未覆蓋錶層量子點樣品呈現齣不均勻的多模呎吋分佈.製作瞭脊條寬為6 μm,腔長為1.5 min的未鍍膜激光器器件,器件室溫連續工作的最大輸齣功率達到51.1 mW (單麵),最高工作溫度70℃.激光光譜包含一繫列非均勻的多縱模簇,且隨著電流的增加,縱模簇箇數也增加.經分析認為,光譜的這一不同于常規半導體激光器的性質是由量子點的非均勻性以及量子點之間互不關聯性導緻的,是多箇互相無關聯的不同特性激光的集體行為.
보도료InAs/GaAs양자점격광기GSMBE생장,격광기기건유원구포함료층첩적5층InAs양자점미결구.AFM현미도상현시상동생장조건하적미복개표층양자점양품정현출불균균적다모척촌분포.제작료척조관위6 μm,강장위1.5 min적미도막격광기기건,기건실온련속공작적최대수출공솔체도51.1 mW (단면),최고공작온도70℃.격광광보포함일계렬비균균적다종모족,차수착전류적증가,종모족개수야증가.경분석인위,광보적저일불동우상규반도체격광기적성질시유양자점적비균균성이급양자점지간호불관련성도치적,시다개호상무관련적불동특성격광적집체행위.
