华南理工大学学报(自然科学版)
華南理工大學學報(自然科學版)
화남리공대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOLGY
2011年
2期
1-6
,共6页
氧化锌%异质结%伏安特性%内建势垒%扩散模型
氧化鋅%異質結%伏安特性%內建勢壘%擴散模型
양화자%이질결%복안특성%내건세루%확산모형
为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒,对异质结的正向电流起阻碍作用;当外加正向电压等于内建势垒高度时,伏安特性曲线出现转折点;当外加正向电压超过转折点电压时,电流密度随电压升高而增大的速度减缓;反向饱和电流密度随p-Si受主掺杂浓度的增加和工作温度的降低而减小,但与ZnO的掺杂浓度和导带补偿无关;p-Si和ZnO的掺杂农度减小、工作温度升高以及导带补偿增大均会引起转折点位置对应的外加正向电压减小.
為瞭揭示ZnO/p-Si異質結的導電機理,基于p-n結擴散模型和Anderson擴散模型推導瞭ZnO/p-Si異質結在理想情況下的伏安特性,併分析瞭摻雜濃度、工作溫度以及能帶補償的影響.結果錶明:噹正嚮偏壓超過勢壘高度時,界麵兩邊多數載流子由耗儘變為堆積,形成反嚮勢壘,對異質結的正嚮電流起阻礙作用;噹外加正嚮電壓等于內建勢壘高度時,伏安特性麯線齣現轉摺點;噹外加正嚮電壓超過轉摺點電壓時,電流密度隨電壓升高而增大的速度減緩;反嚮飽和電流密度隨p-Si受主摻雜濃度的增加和工作溫度的降低而減小,但與ZnO的摻雜濃度和導帶補償無關;p-Si和ZnO的摻雜農度減小、工作溫度升高以及導帶補償增大均會引起轉摺點位置對應的外加正嚮電壓減小.
위료게시ZnO/p-Si이질결적도전궤리,기우p-n결확산모형화Anderson확산모형추도료ZnO/p-Si이질결재이상정황하적복안특성,병분석료참잡농도、공작온도이급능대보상적영향.결과표명:당정향편압초과세루고도시,계면량변다수재류자유모진변위퇴적,형성반향세루,대이질결적정향전류기조애작용;당외가정향전압등우내건세루고도시,복안특성곡선출현전절점;당외가정향전압초과전절점전압시,전류밀도수전압승고이증대적속도감완;반향포화전류밀도수p-Si수주참잡농도적증가화공작온도적강저이감소,단여ZnO적참잡농도화도대보상무관;p-Si화ZnO적참잡농도감소、공작온도승고이급도대보상증대균회인기전절점위치대응적외가정향전압감소.
