南阳理工学院学报
南暘理工學院學報
남양리공학원학보
JOURNAL OF NANYANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2011年
6期
1-6
,共6页
等离子体增强化学气相沉积%硼掺杂%隧道结%复合速率
等離子體增彊化學氣相沉積%硼摻雜%隧道結%複閤速率
등리자체증강화학기상침적%붕참잡%수도결%복합속솔
本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜.利用原子力显微镜(AFM),IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微结构进行了研究.通过测试薄膜的暗电导和激活能,对硅薄膜的电学特性进行了分析.为提高隧道结的复合速率,在隧道结的N层、P层之间插入不同掺杂浓度的硅薄膜做复合层,并测试了隧道结的电流-电压特性和透光性.实验结果表明:随着掺杂气体比例R(B2H6/SiH4)的增加,硅薄膜逐渐由微晶硅转变为非晶硅,薄膜的微结构和电学特性随之改变.隧道结复合层的最佳掺杂气体比例R=0.04,在该条件下的薄膜是含有少量品粒的非晶硅.使用该复合层的隧道结具有阻抗小、接近欧姆接触、光吸收少等优点.
本文採用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)方法沉積齣不同摻雜濃度的硅薄膜.利用原子力顯微鏡(AFM),IR和Raman散射等手段對硅薄膜的微結構進行瞭研究.通過測試薄膜的暗電導和激活能,對硅薄膜的電學特性進行瞭分析.為提高隧道結的複閤速率,在隧道結的N層、P層之間插入不同摻雜濃度的硅薄膜做複閤層,併測試瞭隧道結的電流-電壓特性和透光性.實驗結果錶明:隨著摻雜氣體比例R(B2H6/SiH4)的增加,硅薄膜逐漸由微晶硅轉變為非晶硅,薄膜的微結構和電學特性隨之改變.隧道結複閤層的最佳摻雜氣體比例R=0.04,在該條件下的薄膜是含有少量品粒的非晶硅.使用該複閤層的隧道結具有阻抗小、接近歐姆接觸、光吸收少等優點.
본문채용등리자체증강화학기상침적(PECVD)방법침적출불동참잡농도적규박막.이용원자력현미경(AFM),IR화Raman산사등수단대규박막적미결구진행료연구.통과측시박막적암전도화격활능,대규박막적전학특성진행료분석.위제고수도결적복합속솔,재수도결적N층、P층지간삽입불동참잡농도적규박막주복합층,병측시료수도결적전류-전압특성화투광성.실험결과표명:수착참잡기체비례R(B2H6/SiH4)적증가,규박막축점유미정규전변위비정규,박막적미결구화전학특성수지개변.수도결복합층적최가참잡기체비례R=0.04,재해조건하적박막시함유소량품립적비정규.사용해복합층적수도결구유조항소、접근구모접촉、광흡수소등우점.