光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2003年
8期
921-924
,共4页
李晓婷%汪韬%赛小锋%高鸿楷
李曉婷%汪韜%賽小鋒%高鴻楷
리효정%왕도%새소봉%고홍해
LP-MOCVD%GaAs/Ge%太阳电池
LP-MOCVD%GaAs/Ge%太暘電池
LP-MOCVD%GaAs/Ge%태양전지
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响.试验表明,在600～700℃之间高温处理效果较好.
採用自製的低壓金屬有機化學汽相澱積LP-MOCVD設備, 在Ge襯底(100)麵嚮(111)偏9°外延生長齣GaAs電池結構,對電池材料進行瞭X射線衍射分析.另外,對由此材料製成的太暘電池進行瞭性能測試,測試結果錶明,Ge襯底的高溫處理工藝對GaAs/Ge太暘電池的電流電壓特性有一定的影響.試驗錶明,在600～700℃之間高溫處理效果較好.
채용자제적저압금속유궤화학기상정적LP-MOCVD설비, 재Ge츤저(100)면향(111)편9°외연생장출GaAs전지결구,대전지재료진행료X사선연사분석.령외,대유차재료제성적태양전지진행료성능측시,측시결과표명,Ge츤저적고온처리공예대GaAs/Ge태양전지적전류전압특성유일정적영향.시험표명,재600～700℃지간고온처리효과교호.
