大连理工大学学报
大連理工大學學報
대련리공대학학보
JOURNAL OF DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2004年
4期
469-473
,共5页
梅显秀%徐卫平%马腾才%谭畅
梅顯秀%徐衛平%馬騰纔%譚暢
매현수%서위평%마등재%담창
强流脉冲离子束%类金刚石薄膜%结构%性能
彊流脈遲離子束%類金剛石薄膜%結構%性能
강류맥충리자속%류금강석박막%결구%성능
利用强流脉冲离子束(HIPIB)烧蚀等离子体在Si(100)基体上快速沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250 keV,束流密度为250 A/cm2,脉宽为70 ns的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨充分电离产生稠密的烧蚀等离子体,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积出非晶的DLC薄膜,基片温度选择25 ℃和100 ℃.XPS分析显示DLC薄膜中sp3 C的含量达到40%.扫描电镜和原子力显微镜分析得知薄膜表面比较光滑,100 ℃时沉积的DLC薄膜的表面更光滑,表面粗糙度为0.927 nm,其摩擦因数为0.10;TEM分析表明DLC薄膜的相结构是非晶的;X射线衍射分析得出薄膜的宏观残余应力为压应力,其大小约为4 GPa.
利用彊流脈遲離子束(HIPIB)燒蝕等離子體在Si(100)基體上快速沉積類金剛石(DLC)薄膜.電壓為250 keV,束流密度為250 A/cm2,脈寬為70 ns的離子束(主要由碳離子和氫離子組成)聚焦到石墨靶材上,使石墨充分電離產生稠密的燒蝕等離子體,在石墨靶的法線方嚮的Si基體上沉積齣非晶的DLC薄膜,基片溫度選擇25 ℃和100 ℃.XPS分析顯示DLC薄膜中sp3 C的含量達到40%.掃描電鏡和原子力顯微鏡分析得知薄膜錶麵比較光滑,100 ℃時沉積的DLC薄膜的錶麵更光滑,錶麵粗糙度為0.927 nm,其摩抆因數為0.10;TEM分析錶明DLC薄膜的相結構是非晶的;X射線衍射分析得齣薄膜的宏觀殘餘應力為壓應力,其大小約為4 GPa.
이용강류맥충리자속(HIPIB)소식등리자체재Si(100)기체상쾌속침적류금강석(DLC)박막.전압위250 keV,속류밀도위250 A/cm2,맥관위70 ns적리자속(주요유탄리자화경리자조성)취초도석묵파재상,사석묵충분전리산생주밀적소식등리자체,재석묵파적법선방향적Si기체상침적출비정적DLC박막,기편온도선택25 ℃화100 ℃.XPS분석현시DLC박막중sp3 C적함량체도40%.소묘전경화원자력현미경분석득지박막표면비교광활,100 ℃시침적적DLC박막적표면경광활,표면조조도위0.927 nm,기마찰인수위0.10;TEM분석표명DLC박막적상결구시비정적;X사선연사분석득출박막적굉관잔여응력위압응력,기대소약위4 GPa.
