物理学报
物理學報
물이학보
2005年
2期
842-847
,共6页
伞海生%李斌%冯博学%何毓阳%陈冲
傘海生%李斌%馮博學%何毓暘%陳遲
산해생%리빈%풍박학%하육양%진충
射频反应溅射%CdIn2O4透明导电薄膜%Burstein-Moss漂移%带隙收缩%电学性质%光学性质
射頻反應濺射%CdIn2O4透明導電薄膜%Burstein-Moss漂移%帶隙收縮%電學性質%光學性質
사빈반응천사%CdIn2O4투명도전박막%Burstein-Moss표이%대극수축%전학성질%광학성질
在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现,随着衬底温度的降低,载流子浓度呈上升趋势,而吸收边呈现先是"蓝移"然后"红移"的现象.从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响,这些影响主要体现在带尾的形成,Burstein-Moss(B-M)漂移和带隙收缩.另外,衬底温度的变化将对薄膜的迁移率有重要影响.对于CIO薄膜,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重要影响并将直接影响到薄膜的光透性.由于存在吸收带尾,利用传统的"外推法"获得薄膜的光带隙并不适合简并半导体,而应使用更为准确的"拟合法".
在Ar+O2氣氛,採用射頻反應濺射Cd-In靶製備CdIn2O4(CIO)薄膜.通過對不同襯底溫度下製備和沉積後在氬氣流中退火的薄膜進行透射、反射和Hall效應的測量和分析髮現,隨著襯底溫度的降低,載流子濃度呈上升趨勢,而吸收邊呈現先是"藍移"然後"紅移"的現象.從理論上闡述瞭高濃度的點缺陷對CIO氧化物薄膜的能帶產生的重要影響,這些影響主要體現在帶尾的形成,Burstein-Moss(B-M)漂移和帶隙收縮.另外,襯底溫度的變化將對薄膜的遷移率有重要影響.對于CIO薄膜,由缺陷產生的空穴濃度將對薄膜的帶隙收縮產生重要影響併將直接影響到薄膜的光透性.由于存在吸收帶尾,利用傳統的"外推法"穫得薄膜的光帶隙併不適閤簡併半導體,而應使用更為準確的"擬閤法".
재Ar+O2기분,채용사빈반응천사Cd-In파제비CdIn2O4(CIO)박막.통과대불동츤저온도하제비화침적후재아기류중퇴화적박막진행투사、반사화Hall효응적측량화분석발현,수착츤저온도적강저,재류자농도정상승추세,이흡수변정현선시"람이"연후"홍이"적현상.종이론상천술료고농도적점결함대CIO양화물박막적능대산생적중요영향,저사영향주요체현재대미적형성,Burstein-Moss(B-M)표이화대극수축.령외,츤저온도적변화장대박막적천이솔유중요영향.대우CIO박막,유결함산생적공혈농도장대박막적대극수축산생중요영향병장직접영향도박막적광투성.유우존재흡수대미,이용전통적"외추법"획득박막적광대극병불괄합간병반도체,이응사용경위준학적"의합법".
