传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2005年
12期
29-31,34
,共4页
SnO2传感器%纳米粒子%表面修饰%十二烷基苯磺酸钠
SnO2傳感器%納米粒子%錶麵脩飾%十二烷基苯磺痠鈉
SnO2전감기%납미입자%표면수식%십이완기분광산납
采用化学沉淀法制备的纳米SnO2粉体,通过表面包覆阴离子活性剂十二烷基苯磺酸钠(DBS)来达到表面修饰的目的.实验结果发现:用DBS直接包覆Sn(OH)4粉体制备的纳米SnO2微粒,其粒径比Sn(OH)4沉淀前包覆DBS工艺制备的SnO2粉体的粒径小,并进行了傅立叶变换红外光谱分析、X射线衍射分析、透射电子显微分析和比表面分析及气敏性能测试.结果表明:在Sn(OH)4沉淀前后的不同时间,加入DBS所制得晶粒尺寸相差较大.用DBS直接包覆普通Sn(OH)4,能制备出粒径更小的SnO2微粒,其传感器具有更高的灵敏度和选择性,这是比以往更改进的制备方法.
採用化學沉澱法製備的納米SnO2粉體,通過錶麵包覆陰離子活性劑十二烷基苯磺痠鈉(DBS)來達到錶麵脩飾的目的.實驗結果髮現:用DBS直接包覆Sn(OH)4粉體製備的納米SnO2微粒,其粒徑比Sn(OH)4沉澱前包覆DBS工藝製備的SnO2粉體的粒徑小,併進行瞭傅立葉變換紅外光譜分析、X射線衍射分析、透射電子顯微分析和比錶麵分析及氣敏性能測試.結果錶明:在Sn(OH)4沉澱前後的不同時間,加入DBS所製得晶粒呎吋相差較大.用DBS直接包覆普通Sn(OH)4,能製備齣粒徑更小的SnO2微粒,其傳感器具有更高的靈敏度和選擇性,這是比以往更改進的製備方法.
채용화학침정법제비적납미SnO2분체,통과표면포복음리자활성제십이완기분광산납(DBS)래체도표면수식적목적.실험결과발현:용DBS직접포복Sn(OH)4분체제비적납미SnO2미립,기립경비Sn(OH)4침정전포복DBS공예제비적SnO2분체적립경소,병진행료부립협변환홍외광보분석、X사선연사분석、투사전자현미분석화비표면분석급기민성능측시.결과표명:재Sn(OH)4침정전후적불동시간,가입DBS소제득정립척촌상차교대.용DBS직접포복보통Sn(OH)4,능제비출립경경소적SnO2미립,기전감기구유경고적령민도화선택성,저시비이왕경개진적제비방법.
