半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
106-108
,共3页
陈俊%张纪才%张书明%朱建军%杨辉
陳俊%張紀纔%張書明%硃建軍%楊輝
진준%장기재%장서명%주건군%양휘
GaN%侧向外延%穿透位错
GaN%側嚮外延%穿透位錯
GaN%측향외연%천투위착
利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提高,透射电镜进行微区位错观察发现窗口区穿透位错大部分发生转向,侧向生长区下方的穿透位错被掩膜阻断.
利用金屬有機物氣相外延法(MOCVD),在GaN/藍寶石複閤襯底上,採用側嚮外延生長技術製備齣高質量的GaN外延膜,併對其進行掃描電鏡、X射線雙晶衍射、透射電鏡測量和分析.髮現完全閤併後的GaN外延層的錶麵平整,晶體質量較襯底有大幅的提高,透射電鏡進行微區位錯觀察髮現窗口區穿透位錯大部分髮生轉嚮,側嚮生長區下方的穿透位錯被掩膜阻斷.
이용금속유궤물기상외연법(MOCVD),재GaN/람보석복합츤저상,채용측향외연생장기술제비출고질량적GaN외연막,병대기진행소묘전경、X사선쌍정연사、투사전경측량화분석.발현완전합병후적GaN외연층적표면평정,정체질량교츤저유대폭적제고,투사전경진행미구위착관찰발현창구구천투위착대부분발생전향,측향생장구하방적천투위착피엄막조단.
