微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
1期
1-4
,共4页
徐跃杭%徐锐敏%延波%国云川%王磊
徐躍杭%徐銳敏%延波%國雲川%王磊
서약항%서예민%연파%국운천%왕뢰
4H-SiC%MESFET%I-V特性%解析模型
4H-SiC%MESFET%I-V特性%解析模型
4H-SiC%MESFET%I-V특성%해석모형
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型.该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型.计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合.
提齣瞭一種改進的4H-SiC MESFET大信號直流解析模型.該模型基于柵極下麵電荷的二維分佈進行分析,在攷慮電場相關遷移率、速度飽和及溝道內電荷堆積的基礎上,計入溝道長度調製效應,建立基于物理的溝道長度調製效應模型.計算結果錶明,計入溝道長度調製效應後的直流模型在飽和區與實測的I-V特性較為吻閤.
제출료일충개진적4H-SiC MESFET대신호직류해석모형.해모형기우책겁하면전하적이유분포진행분석,재고필전장상관천이솔、속도포화급구도내전하퇴적적기출상,계입구도장도조제효응,건립기우물리적구도장도조제효응모형.계산결과표명,계입구도장도조제효응후적직류모형재포화구여실측적I-V특성교위문합.
