电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
1期
112-115
,共4页
模拟集成电路%带隙基准电压源%Brokaw参考电压源%温度补偿%BiCMOS
模擬集成電路%帶隙基準電壓源%Brokaw參攷電壓源%溫度補償%BiCMOS
모의집성전로%대극기준전압원%Brokaw삼고전압원%온도보상%BiCMOS
文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.
文章介紹瞭一種低溫漂的BiCMOS帶隙基準電壓源.基于特許半導體(Chartered)0.35 μm BiCMOS工藝,採用Brokaw帶隙基準電壓源結構,通過一級溫度補償技術,設計得到瞭一種在-40℃到+85℃的溫度變化範圍內溫度繫數為15.2×10-6/℃,輸齣電壓為2.5 V±0.002 V的帶隙基準電壓源電路.±20%的電源電壓變化情況下,輸齣電壓變化為2.2 mV,電源電壓抑製比為60 dB.5 V電源電壓下功耗為1.19 mW.具有良好的電源抑製能力.
문장개소료일충저온표적BiCMOS대극기준전압원.기우특허반도체(Chartered)0.35 μm BiCMOS공예,채용Brokaw대극기준전압원결구,통과일급온도보상기술,설계득도료일충재-40℃도+85℃적온도변화범위내온도계수위15.2×10-6/℃,수출전압위2.5 V±0.002 V적대극기준전압원전로.±20%적전원전압변화정황하,수출전압변화위2.2 mV,전원전압억제비위60 dB.5 V전원전압하공모위1.19 mW.구유량호적전원억제능력.
