CAJ | 학술논문

使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究.碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征.结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,与R的关系则存在R=8%处的刻蚀速率峰值.C2基团的发射谱线强度随R的变化类似于SiO2刻蚀速率对R的依赖关系,对此给出了解释.在此基础上,对SiO2介质光栅进行了刻蚀.结果显示,在较大的R及自偏压等条件下,刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案,同时光刻胶掩膜图形出现分叉.结合扫描电镜技术对此进行了分析,认为光刻胶表面与侧面的能量传递和聚合物再沉积是导致出现上述现象的原因.
사용감응우합등리자체기술,통과개변원기체류량비R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、사빈원공솔、자편압등조건진행료SiO2개질각식실험연구.탄불등리자체적특정유랑류탐침화발사광보기술래표정.결과표명,SiO2적각식속솔수방전원공솔화사빈자편압적증대이단조상승,여R적관계칙존재R=8%처적각식속솔봉치.C2기단적발사보선강도수R적변화유사우SiO2각식속솔대R적의뢰관계,대차급출료해석.재차기출상,대SiO2개질광책진행료각식.결과현시,재교대적R급자편압등조건하,각식후적조형정경미적추형도안,동시광각효엄막도형출현분차.결합소묘전경기술대차진행료분석,인위광각효표면여측면적능량전체화취합물재침적시도치출현상술현상적원인.