北京大学学报（自然科学版）
北京大學學報（自然科學版）
북경대학학보（자연과학판）
ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS
2008年
3期
339-342
,共4页
霍海滨%杨卫全%戴伦%马仁敏%秦国刚
霍海濱%楊衛全%戴倫%馬仁敏%秦國剛
곽해빈%양위전%대륜%마인민%진국강
电致发光%氧化锌纳米线%硅%异质结
電緻髮光%氧化鋅納米線%硅%異質結
전치발광%양화자납미선%규%이질결
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.
採用化學氣相沉積的方法在In0.1Ga0.9N襯底上生長齣In摻雜的n-ZnO納米線陣列.電學輸運測量得到單根n-ZnO納米線的電阻率為0.001 Ω cm,比同樣方法在GaN襯底上生長的ZnO納米線低約20倍.這箇結果錶明來自于In0.1Ga0.9N襯底中的In原子在高溫生長過程中可能被摻入ZnO納米線.製備成功單根n-ZnO納米線/p+-Si異質結構併研究瞭其電緻髮光特性.室溫下電緻髮光光譜中可以看到一箇窄的ZnO激子峰(約380 nm)和一箇中心位于700 nm 的來自Si襯底錶麵自然氧化硅髮光中心的髮光峰.
채용화학기상침적적방법재In0.1Ga0.9N츤저상생장출In참잡적n-ZnO납미선진렬.전학수운측량득도단근n-ZnO납미선적전조솔위0.001 Ω cm,비동양방법재GaN츤저상생장적ZnO납미선저약20배.저개결과표명래자우In0.1Ga0.9N츤저중적In원자재고온생장과정중가능피참입ZnO납미선.제비성공단근n-ZnO납미선/p+-Si이질결구병연구료기전치발광특성.실온하전치발광광보중가이간도일개착적ZnO격자봉(약380 nm)화일개중심위우700 nm 적래자Si츤저표면자연양화규발광중심적발광봉.
