物理学进展
物理學進展
물이학진전
PROGRESS IN PHYSICS
2008年
4期
327-345
,共19页
康俊勇%徐富春%蔡端俊%李金钗
康俊勇%徐富春%蔡耑俊%李金釵
강준용%서부춘%채단준%리금차
表征技术%俄歇电子能谱%微纳尺度
錶徵技術%俄歇電子能譜%微納呎度
표정기술%아헐전자능보%미납척도
随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径.本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术.其中应力测最技术的空间分辨率可优于20 nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,建续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布.通过实际应用于侧向外延GaN不同区域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱结构、ZnO纳米颗粒等纳米尺度复杂体系的微区宏观性质探测,获得应力/应变、电荷密度/电场、结构相以及导电类型及其分布等结果,验证了所建立的测量技术的有效性和可靠性.
隨著納米結構材料的廣汎應用,新型微納呎度錶徵技術成為納米科學技術髮展的重要途徑.本文基于跼域電子信息全麵性的思想,從俄歇電子能譜的原理齣髮,理論推導齣俄歇價電子能譜的簡明錶述方式,確定俄歇價電子能譜與微觀電子結構信息的內在聯繫和物理意義,建立瞭俄歇電子能譜探測微區一繫列宏觀參量的新技術.其中應力測最技術的空間分辨率可優于20 nm,為微納呎度力學測量的髮展提供瞭重要的方法;非接觸性的跼域電學性質測量技術,超越瞭傳統電學測量方法的思想框架,實現瞭無外場驅動的電荷密度分佈、電場分佈等本徵電學性質錶徵、以及半導體異質結構整箇空間區域的能帶構造;結構相的測定技術,使納米微區材料的晶體結構相識彆成為可能;半導體微區導電類型測定技術,建續瞭非接觸性電學測量的優點,併且能夠靈活地探測分析複雜光電器件結構中不同區域的導電類型分佈.通過實際應用于側嚮外延GaN不同區域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱結構、ZnO納米顆粒等納米呎度複雜體繫的微區宏觀性質探測,穫得應力/應變、電荷密度/電場、結構相以及導電類型及其分佈等結果,驗證瞭所建立的測量技術的有效性和可靠性.
수착납미결구재료적엄범응용,신형미납척도표정기술성위납미과학기술발전적중요도경.본문기우국역전자신식전면성적사상,종아헐전자능보적원리출발,이론추도출아헐개전자능보적간명표술방식,학정아헐개전자능보여미관전자결구신식적내재련계화물리의의,건립료아헐전자능보탐측미구일계렬굉관삼량적신기술.기중응력측최기술적공간분변솔가우우20 nm,위미납척도역학측량적발전제공료중요적방법;비접촉성적국역전학성질측량기술,초월료전통전학측량방법적사상광가,실현료무외장구동적전하밀도분포、전장분포등본정전학성질표정、이급반도체이질결구정개공간구역적능대구조;결구상적측정기술,사납미미구재료적정체결구상식별성위가능;반도체미구도전류형측정기술,건속료비접촉성전학측량적우점,병차능구령활지탐측분석복잡광전기건결구중불동구역적도전류형분포.통과실제응용우측향외연GaN불동구역、AlxGa1-xN/GaN초정격양자정결구、ZnO납미과립등납미척도복잡체계적미구굉관성질탐측,획득응력/응변、전하밀도/전장、결구상이급도전류형급기분포등결과,험증료소건립적측량기술적유효성화가고성.
