传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2012年
1期
1-5
,共5页
王海燕%王伶俐%胡青飞%李新建
王海燕%王伶俐%鬍青飛%李新建
왕해연%왕령리%호청비%리신건
H2S气体传感器%SiC%硅纳米孔柱阵列%高温碳化
H2S氣體傳感器%SiC%硅納米孔柱陣列%高溫碳化
H2S기체전감기%SiC%규납미공주진렬%고온탄화
通过将硅纳米孔柱阵列( Si- NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系.对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm.SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征.对浓度介于0～1 200× 10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790％,而其对400× 10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性.SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料.
通過將硅納米孔柱陣列( Si- NPA)進行高溫碳化處理,製備齣一種SiC/Si-NPA複閤納米體繫.對SiC/Si-NPA的錶麵形貌和結構錶徵揭示,生長于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方結構的SiC納米顆粒組成,厚度為～200 nm.SiC/Si-NPA整體上保持瞭Si-NPA原有的柱狀陣列結構特徵.對濃度介于0～1 200× 10-6的H2S氣體的室溫傳感性能測試錶明,SiC/Si-NPA對H2S氣體的電容響應靈敏度可高達790％,而其對400× 10-6濃度H2S氣體的響應和恢複時間則分彆為170 s和200 s,元件具有較好的測量重複性和穩定性.SiC/Si-NPA可能是一種室溫條件下較為理想的H2S氣體傳感材料.
통과장규납미공주진렬( Si- NPA)진행고온탄화처리,제비출일충SiC/Si-NPA복합납미체계.대SiC/Si-NPA적표면형모화결구표정게시,생장우Si-NPA상적SiC박막유구유립방결구적SiC납미과립조성,후도위～200 nm.SiC/Si-NPA정체상보지료Si-NPA원유적주상진렬결구특정.대농도개우0～1 200× 10-6적H2S기체적실온전감성능측시표명,SiC/Si-NPA대H2S기체적전용향응령민도가고체790％,이기대400× 10-6농도H2S기체적향응화회복시간칙분별위170 s화200 s,원건구유교호적측량중복성화은정성.SiC/Si-NPA가능시일충실온조건하교위이상적H2S기체전감재료.
