基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器
기우N-on-P결구적배조사연신파장640×1선렬InGaAs탐측기
Extended-wavelength 640 × 1 linear InGaAs detector arrays using N-on-P configuration for back illumination
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2012年 1期 11-14,90 ,共5页

    朱耀明%李永富%李雪%唐恒敬%邵秀梅%陈郁%邓洪海%魏鹏%张永刚%龚海梅

    주요명%리영부%리설%당항경%소수매%진욱%산홍해%위붕%장영강%공해매

    ICP刻蚀%N-on-P结构%线列探测器%光电性能 ICP刻蝕%N-on-P結構%線列探測器%光電性能
    ICP각식%N-on-P결구%선렬탐측기%광전성능
    在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36 μm和1.92 μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω·cm2,峰值量子效率达到了37.5％；在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77％,盲元率约为0.6％.
    재N-on-P형In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As외연재료상,채용감응우합등리자체(ICP)각식기술제비료배조사640×1선렬InGaAs탐측기심편,연구료탐측기광전성능.결과표명,실온하단원기건향응절지파장화봉치파장분별위2.36 μm화1.92 μm,평균우치인자(R0A)위16.0Ω·cm2,봉치양자효솔체도료37.5％；재1 ms적분시간하초평면탐측기평균봉치탐측솔체도료2.01×1011 cmHz1/2/W,향응비균균성위8.77％,맹원솔약위0.6％.
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