固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
1期
114-119
,共6页
梁帮立%夏冠群%周咏东%范叔平
樑幫立%夏冠群%週詠東%範叔平
량방립%하관군%주영동%범숙평
镓铟砷锑%多结结构%数值模拟%探测器
鎵銦砷銻%多結結構%數值模擬%探測器
가인신제%다결결구%수치모의%탐측기
从非平衡载流子的扩散-复合理论出发,提出PIN多结探测器材料结构,并建立了理论模型进行定量计算,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾.利用该模型对GaInAsSb材料体系作了数值模拟,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2.4 μm波段的GaInAsSb PIN多结材料结构.
從非平衡載流子的擴散-複閤理論齣髮,提齣PIN多結探測器材料結構,併建立瞭理論模型進行定量計算,從理論上解決瞭不能同時兼顧增大量子效率與光電增益和降低譟聲的矛盾.利用該模型對GaInAsSb材料體繫作瞭數值模擬,單結器件性能的計算值和實測值基本吻閤,併根據多結器件模擬結果設計瞭工作于2.4 μm波段的GaInAsSb PIN多結材料結構.
종비평형재류자적확산-복합이론출발,제출PIN다결탐측기재료결구,병건립료이론모형진행정량계산,종이론상해결료불능동시겸고증대양자효솔여광전증익화강저조성적모순.이용해모형대GaInAsSb재료체계작료수치모의,단결기건성능적계산치화실측치기본문합,병근거다결기건모의결과설계료공작우2.4 μm파단적GaInAsSb PIN다결재료결구.
