浙江理工大学学报
浙江理工大學學報
절강리공대학학보
JOURNAL OF ZHEJIANG SCI-TECH UNIVERSITY
2008年
2期
195-198
,共4页
氮化硅%包覆%钌%醇热还原
氮化硅%包覆%釕%醇熱還原
담화규%포복%조%순열환원
针对热CVD法制备的无定形超微Si3N4粉体表面富含N-H键的特性,以RuCl3为钌源,采用醇热还原法对Si3N4粉体进行了钌包覆.并利用傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见光谱分析(UV-Vis)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等检测手段对所得样品的结构和形貌进行了表征.研究结果表明,在Si3N4表面包覆了一层钌颗粒.并对钌包覆层的形成机理进行了讨论.
針對熱CVD法製備的無定形超微Si3N4粉體錶麵富含N-H鍵的特性,以RuCl3為釕源,採用醇熱還原法對Si3N4粉體進行瞭釕包覆.併利用傅立葉紅外光譜(FTIR)、紫外-可見光譜分析(UV-Vis)、掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜儀(EDS)等檢測手段對所得樣品的結構和形貌進行瞭錶徵.研究結果錶明,在Si3N4錶麵包覆瞭一層釕顆粒.併對釕包覆層的形成機理進行瞭討論.
침대열CVD법제비적무정형초미Si3N4분체표면부함N-H건적특성,이RuCl3위조원,채용순열환원법대Si3N4분체진행료조포복.병이용부립협홍외광보(FTIR)、자외-가견광보분석(UV-Vis)、소묘전자현미경(SEM)화능보의(EDS)등검측수단대소득양품적결구화형모진행료표정.연구결과표명,재Si3N4표면포복료일층조과립.병대조포복층적형성궤리진행료토론.
