电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
5期
12-14
,共3页
电子技术%碳纳米管薄膜%场发射%电泳沉积
電子技術%碳納米管薄膜%場髮射%電泳沉積
전자기술%탄납미관박막%장발사%전영침적
采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管(CNTs)薄膜.研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响.SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果表明,保持阴阳极间距为2 cm,在100 V的直流电压下电泳2 min所获得的CNTs薄膜均匀、连续、致密且具有最好的场发射性能,其开启电场强度仅为1.19 V/μm,当外加电场强度为2.83 V/μm时,所获得的最大发射电流密度可达14.23×10-3 A/cm2.
採用電泳法在Si基片上沉積碳納米管(CNTs)薄膜.研究瞭電泳極間距、電泳時間及電泳電壓等對沉積的薄膜形貌結構與場髮射性能的影響.SEM、高倍光學顯微鏡和場髮射性能測試結果錶明,保持陰暘極間距為2 cm,在100 V的直流電壓下電泳2 min所穫得的CNTs薄膜均勻、連續、緻密且具有最好的場髮射性能,其開啟電場彊度僅為1.19 V/μm,噹外加電場彊度為2.83 V/μm時,所穫得的最大髮射電流密度可達14.23×10-3 A/cm2.
채용전영법재Si기편상침적탄납미관(CNTs)박막.연구료전영겁간거、전영시간급전영전압등대침적적박막형모결구여장발사성능적영향.SEM、고배광학현미경화장발사성능측시결과표명,보지음양겁간거위2 cm,재100 V적직류전압하전영2 min소획득적CNTs박막균균、련속、치밀차구유최호적장발사성능,기개계전장강도부위1.19 V/μm,당외가전장강도위2.83 V/μm시,소획득적최대발사전류밀도가체14.23×10-3 A/cm2.
