固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
2期
291-296
,共6页
谢磊%李建%曾晓洋%郭亚炜
謝磊%李建%曾曉洋%郭亞煒
사뢰%리건%증효양%곽아위
模数转换器%流水线%低电压%低功耗%运算放大器%频率补偿
模數轉換器%流水線%低電壓%低功耗%運算放大器%頻率補償
모수전환기%류수선%저전압%저공모%운산방대기%빈솔보상
实现了一个10位精度,30MS/s,1.2 V电源电压流水线A/D转换器,通过采用运放共享技术和动态比较器,大大降低了电路的功耗.为了在低电源电压下获得较大的摆幅,设计了一个采用新颖频率补偿方法的两级运放,并深入分析了该运放的频率特性.同时还采用了一个新的偏置电路给运放提供稳定且精确的偏置.在30 MHz采样时钟,0.5 MHz输入信号下测试,可以得到8.1 bit有效位的输出,当输入频率上升到60MHz(~倍奈奎斯特频率)时,仍然有7.9 bit有效位.电路积分非线性的最大值为1.98 LSB,微分非线性的最大值为0.7 LSB.电路采用0.13 μm CMOS工艺流片验证,芯片面积为1.12 mm2,功耗仅为14.4 mW.
實現瞭一箇10位精度,30MS/s,1.2 V電源電壓流水線A/D轉換器,通過採用運放共享技術和動態比較器,大大降低瞭電路的功耗.為瞭在低電源電壓下穫得較大的襬幅,設計瞭一箇採用新穎頻率補償方法的兩級運放,併深入分析瞭該運放的頻率特性.同時還採用瞭一箇新的偏置電路給運放提供穩定且精確的偏置.在30 MHz採樣時鐘,0.5 MHz輸入信號下測試,可以得到8.1 bit有效位的輸齣,噹輸入頻率上升到60MHz(~倍奈奎斯特頻率)時,仍然有7.9 bit有效位.電路積分非線性的最大值為1.98 LSB,微分非線性的最大值為0.7 LSB.電路採用0.13 μm CMOS工藝流片驗證,芯片麵積為1.12 mm2,功耗僅為14.4 mW.
실현료일개10위정도,30MS/s,1.2 V전원전압류수선A/D전환기,통과채용운방공향기술화동태비교기,대대강저료전로적공모.위료재저전원전압하획득교대적파폭,설계료일개채용신영빈솔보상방법적량급운방,병심입분석료해운방적빈솔특성.동시환채용료일개신적편치전로급운방제공은정차정학적편치.재30 MHz채양시종,0.5 MHz수입신호하측시,가이득도8.1 bit유효위적수출,당수입빈솔상승도60MHz(~배내규사특빈솔)시,잉연유7.9 bit유효위.전로적분비선성적최대치위1.98 LSB,미분비선성적최대치위0.7 LSB.전로채용0.13 μm CMOS공예류편험증,심편면적위1.12 mm2,공모부위14.4 mW.
