ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤
ICP각식대InAsP/InP응변다양자정적손상
Investigation of ICP Etching Damage of InAsP/InP Strained Multiple Quantum Wells
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 1期 178-182 ,共5页

    曹萌%吴惠桢%劳燕锋%黄占超%刘成%张军%江山

    조맹%오혜정%로연봉%황점초%류성%장군%강산

    干法刻蚀%应变量子阱%光致发光谱%损伤 榦法刻蝕%應變量子阱%光緻髮光譜%損傷
    간법각식%응변양자정%광치발광보%손상
    为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.
    위료연구ICP각식대InAsP/InP응변다양자정적손상정황,용기태원분자속외연기술생장료경특수설계적InAsP/InP응변다양자정결구.채용감응우합등리자체대기진행각식.통과측량각식전、후양자정결구적광치발광보,학정료각식75nm후양품손상심도약위40nm,응용Rahman모형계산득도적이론손상심도위43.5nm,량자부합득비교호.통과분석손상산생적궤리,인위산생손상적주요원인시리자수천.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문