CAJ | 학술논문

建立一个理想的带栅极纳米线模型,利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子,进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响.结果表明,在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小,电场增强因子就越大,且随着栅极电压的增加电场增强因子近似地线性增加;而当栅极电压等于零(或接近于零)时栅孔对纳米线表面电场的屏蔽效应较显著,栅孔半径越大,电场增强因子反而越大;电流密度在纳米线顶端边缘处最大,而且随着栅极电压的增加而呈指数增加.
건립일개이상적대책겁납미선모형,이용정전장이론계산출납미선정단전장증강인자,진일보분석료책공반경이급책겁전압등삼수대전장증강인자화납미선정단표면전류밀도적영향.결과표명,재가교대적책겁전압적정황하책공반경월소,전장증강인자취월대,차수착책겁전압적증가전장증강인자근사지선성증가;이당책겁전압등우령(혹접근우령)시책공대납미선표면전장적병폐효응교현저,책공반경월대,전장증강인자반이월대;전류밀도재납미선정단변연처최대,이차수착책겁전압적증가이정지수증가.