微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
3期
159-163
,共5页
秦锐%丁冬雁%宁聪琴%刘和刚%朱邦尚%李明%毛大立
秦銳%丁鼕雁%寧聰琴%劉和剛%硃邦尚%李明%毛大立
진예%정동안%저총금%류화강%주방상%리명%모대립
形状记忆合金%纳米管%阳极氧化%显微结构%氧化物
形狀記憶閤金%納米管%暘極氧化%顯微結構%氧化物
형상기억합금%납미관%양겁양화%현미결구%양화물
采用阳极氧化方法在镍钛形状记忆合金表面成功制备出氧化物纳米管阵列.实验结果表明,阳极氧化电压和温度是影响纳米管生长的重要因素.当阳极氧化电压较低时,温度效应不大,合金表面仅形成数十纳米厚的氧化物薄膜.当阳极氧化电压升至20 V,在20℃阳极氧化可形成双氧化物层(表面为不均匀多孔纳米结构,下部为具有两种不同直径的纳米管阵列);增大阳极氧化温度至30 ℃,表面多孔纳米结构溶解,露出底部的纳米管阵列;当阳极氧化温度增大至50℃时,纳米管开始出现破裂.纳米管为Ni-Ti-O氧化物,纳米管的镍含量与镍钛基体相比有所降低.
採用暘極氧化方法在鎳鈦形狀記憶閤金錶麵成功製備齣氧化物納米管陣列.實驗結果錶明,暘極氧化電壓和溫度是影響納米管生長的重要因素.噹暘極氧化電壓較低時,溫度效應不大,閤金錶麵僅形成數十納米厚的氧化物薄膜.噹暘極氧化電壓升至20 V,在20℃暘極氧化可形成雙氧化物層(錶麵為不均勻多孔納米結構,下部為具有兩種不同直徑的納米管陣列);增大暘極氧化溫度至30 ℃,錶麵多孔納米結構溶解,露齣底部的納米管陣列;噹暘極氧化溫度增大至50℃時,納米管開始齣現破裂.納米管為Ni-Ti-O氧化物,納米管的鎳含量與鎳鈦基體相比有所降低.
채용양겁양화방법재얼태형상기억합금표면성공제비출양화물납미관진렬.실험결과표명,양겁양화전압화온도시영향납미관생장적중요인소.당양겁양화전압교저시,온도효응불대,합금표면부형성수십납미후적양화물박막.당양겁양화전압승지20 V,재20℃양겁양화가형성쌍양화물층(표면위불균균다공납미결구,하부위구유량충불동직경적납미관진렬);증대양겁양화온도지30 ℃,표면다공납미결구용해,로출저부적납미관진렬;당양겁양화온도증대지50℃시,납미관개시출현파렬.납미관위Ni-Ti-O양화물,납미관적얼함량여얼태기체상비유소강저.
