微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
6期
790-793,798
,共5页
陈斯%彭艳军%王侠%朱士虎
陳斯%彭豔軍%王俠%硃士虎
진사%팽염군%왕협%주사호
可变增益放大器%伪Taylor指数函数%dB-线性%可变跨导
可變增益放大器%偽Taylor指數函數%dB-線性%可變跨導
가변증익방대기%위Taylor지수함수%dB-선성%가변과도
基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高dB-线性宽动态范围的CMOS可变增益放大器.拽数电路通过伪Taylor200 MHz构dB-可变增益单元采用可变跨导、可变负载结构.Hspice仿真结果显示,3-dB带宽为200 MHz,在dB-线性内,输出电压的增益动态范围达40 dB,误差在±0.5dB之内,电路在3.3V工作电压下总消耗电流为1.6mA.
基于TSMC 0.18 μm CMOS工藝,設計瞭一種高dB-線性寬動態範圍的CMOS可變增益放大器.拽數電路通過偽Taylor200 MHz構dB-可變增益單元採用可變跨導、可變負載結構.Hspice倣真結果顯示,3-dB帶寬為200 MHz,在dB-線性內,輸齣電壓的增益動態範圍達40 dB,誤差在±0.5dB之內,電路在3.3V工作電壓下總消耗電流為1.6mA.
기우TSMC 0.18 μm CMOS공예,설계료일충고dB-선성관동태범위적CMOS가변증익방대기.예수전로통과위Taylor200 MHz구dB-가변증익단원채용가변과도、가변부재결구.Hspice방진결과현시,3-dB대관위200 MHz,재dB-선성내,수출전압적증익동태범위체40 dB,오차재±0.5dB지내,전로재3.3V공작전압하총소모전류위1.6mA.
