半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
187-191
,共5页
宁瑾%刘焕章%葛永才%刘忠立
寧瑾%劉煥章%葛永纔%劉忠立
저근%류환장%갈영재%류충립
硅基电容式微传声器%多孔硅%牺牲层%聚酰亚胺
硅基電容式微傳聲器%多孔硅%犧牲層%聚酰亞胺
규기전용식미전성기%다공규%희생층%취선아알
提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400～10kHz之间,频率响应较为平坦,可以实现语音通信.
提齣瞭一種新的硅基電容式微傳聲器的製備方法,即採用多孔硅犧牲層技術製備聲學孔,採用聚酰亞胺膜作聲學振膜.採用該方法製備齣的電容式微傳聲器器件,開路靈敏度為-107.8dB,在400～10kHz之間,頻率響應較為平坦,可以實現語音通信.
제출료일충신적규기전용식미전성기적제비방법,즉채용다공규희생층기술제비성학공,채용취선아알막작성학진막.채용해방법제비출적전용식미전성기기건,개로령민도위-107.8dB,재400～10kHz지간,빈솔향응교위평탄,가이실현어음통신.
