电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2005年
3期
516-519,523
,共5页
屠荆%杨荣%罗晋生%张瑞智
屠荊%楊榮%囉晉生%張瑞智
도형%양영%라진생%장서지
应变锗硅%P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管%亚阈值特性%模型%模拟
應變鍺硅%P型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%亞閾值特性%模型%模擬
응변타규%P형금속-양화물-반도체장효응정체관%아역치특성%모형%모의
通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGe PMOSFET垂直结构参数的变化关系.模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比Si PMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注.
通過簡化的模型,對應變SiGe溝道PMOSFET及Si PMOSFET的亞閾值特性作齣瞭簡單的理論分析,然後用二維模擬器Medici進行瞭模擬和對比;研究瞭截止電流和亞閾值斜率隨SiGe PMOSFET垂直結構參數的變化關繫.模擬結果同理論分析符閤一緻,錶明應變SiGe溝道PMOSFET的亞閾值特性比Si PMOSFET更差,併且對垂直結構參數敏感,在器件設計時值得關註.
통과간화적모형,대응변SiGe구도PMOSFET급Si PMOSFET적아역치특성작출료간단적이론분석,연후용이유모의기Medici진행료모의화대비;연구료절지전류화아역치사솔수SiGe PMOSFET수직결구삼수적변화관계.모의결과동이론분석부합일치,표명응변SiGe구도PMOSFET적아역치특성비Si PMOSFET경차,병차대수직결구삼수민감,재기건설계시치득관주.
